“إنتل” تكشف عن تقنية متطورة في صناعة الترانزستورات
حيروت – متابعات
كشفت شركة إنتل اليوم الخميس عن طريقة جديدة لصنع الترانزستورات على أشباه الموصلات، وهي الطريقة التي قال كبير مهندسي الشركة: إنها يمكن أن تعزز أداء الجيل القادم من معالجات إنتل بنسبة تصل إلى 20٪.
وتعد الشركة الأمريكية إحدى الشركات القليلة المتبقية في العالم التي تصمم وتصنع رقائقها الخاصة. ولكن عمليات التصنيع الخاصة بها أصبحت مصدر قلق للمستثمرين بعد أن قالت إنتل الشهر الماضي: إن عملية تصنيع الجيل التالي الخاصة بها، التي تسمى عقدة المعالجة ذات مقياس 7 نانو، ستتأخر.
ويعتقد المحللون أن التأخيرات قد تعزز الريادة التي حققها المنافسون، مثل TSMC التايوانية في صناعة رقائق أصغر وأكثر كفاءة في استهلاك الطاقة. وقد تراجعت أسهم إنتل بنحو 20٪ منذ الإعلان عن التأخير الذي سيحصل.
واليوم سعت الشركة إلى عكس الفكرة القائلة بأن الأسماء ذات الرقم الفردي المعطاة لكل جيل من عقدة المعالجة هي أهم ما في الأداء، فأعلنت عن طريقة جديدة لصنع ما تسميه الآن ترانزستورات SuperFin، التي من المتوقع أن تعزّز أداء معالجات إنتل القادمة، وذلك إلى جانب مادة جديدة تُستخدم لتحسين المكثفات على الرقائق.
وقال (راجا كودوري) – كبير المهندسين المعماريين في إنتل – عن مكاسب الأداء في مقابلة مع رويترز: “إنها 20%؛ وهي أكبر قفزة داخل العقدة على الإطلاق في تاريخنا، وهي في الواقع تقدم الأداء نفسه الذي ستحصل عليه من خلال (عقدة واحدة من قانون مور) Moore Law node”.
ولن يكون من الممكن اختبار هذه الادعاءات في العالم الحقيقي حتى يتم طرح رقائق إنتل الجديدة، ولكن رقائق الحاسوب المحمول Tiger Lake المقرر إصدارها هذا الخريف ستستخدم الرقائق.
وحتى مع تقنية الترانزستور الجديدة، قال كودوري: إن إنتل أعادت تشغيل عملية تصميم الرقائق الخاصة بها؛ لتكون قادرة على استخدام مصانع الرقائق الخاصة بها أو مصانع الرقائق الخارجية بسهولة أكبر، أيما الأمرين كان مطلوبًا لإنشاء أفضل الرقائق. وأضاف: “مهما كان ما يجعلنا نقدم هذه المنتجات في الوقت المحدد، مع الأداء الرائد، فإننا نتمتع بالمرونة وسنستخدم ذلك”.
